浙江金西园科技有限公司
2009年10月24日 17:29
浙江金西园科技有限公司创建于1999年,注册资本3531万元,占地面积45968m2。企业位于浙江省西部,钱塘江上游,浙、皖、赣三省七县交界处,东经118°01'15''-118°37'50'',北纬28°54'30''-29°29'59''。是一家专业生产集成电路级和太阳能级半导体材料的硅单晶企业,是省级硅产业的重点企业。2007年8月被国家发改委、信息产业部、海关总署、国家税务总局联合审核认定为第一批国家鼓励发展的集成电路企业。
企业的工艺流程、质量管理,通过了国际ISO9001:2000体系认证。企业注重技术创新,为保证产品质量,企业引进日本,瑞士等国先进的生产设备及检测设备。
企业主导产品“金西园”牌CZ硅单晶,型号有N型、P型(111)、(100),直径为3~8英寸,年生产能力90000公斤,硅单晶片500万片。为客户提供集成电路级和太阳能级半导体材料产品。
企业贯彻“客户至上,质量第一”的宗旨,并以一流的服务满足顾客的期望,热忱欢迎新老客户光临惠顾。
专业生产直径为3~8~8英寸直拉硅单晶产品,分为太阳能级与电路级两大系列。部分产品规格:
硅单晶棒技术参数
名称
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3˝
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4˝
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5˝
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6˝
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8˝
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直径
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Ф76.2±0.3mm
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Ф100±0.4mm
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Ф125±0.5mm
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Ф150±0.5mm
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Ф200±0.5mm
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晶向
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<111><100>
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<111><100>
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<111><100>
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<111><100>
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<111><100>
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型号
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N、P
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N、P
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N、P
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N、P
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N、P
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氧含量
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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碳含量
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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电阻率
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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硅单晶研磨片技术参数
名称
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3˝
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4˝
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5˝
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6˝
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8˝
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直径
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Ф76.2±0.3mm
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Ф100±0.4mm
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Ф125±0.5mm
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Ф150±0.5mm
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Ф200±0.5mm
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厚度
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≥190µm
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≥220µm
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≥250µm
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厚度偏差
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±5µm/±10µm
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±5µm/±10µm
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±5µm/±10µm
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±5µm/±10µm
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±5µm/±10µm
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总厚度变化
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<5µm
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<5µm
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<5µm
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<5µm
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<5µm
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翘曲度
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<25µm
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<25µm
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<25µm
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<25µm
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<25µm
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主参考面方向
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(110)±1°
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(110)±1°
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(110)±1°
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(110)±1°
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(110)±1°
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主参考面宽度
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Cw22.5±2.5mm
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Cw22.5±2.5mm
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Cw22.5±2.5mm
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Cw22.5±2.5mm
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Cw22.5±2.5mm
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氧含量
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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≤20-36ppma
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碳含量
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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≤1ppma
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电阻率
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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0.005-90Ω·cm
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来源:
招商局
作者:
编辑:
陈体法
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